Home
| VOLUME 105 (2017) | ISSUE 2 | PAGE 93 |
|---|
|
Квантовые точки AlInAs
А. В. Гайслер+, И. А. Деребезов+, В. А. Гайслер+*×, Д. В. Дмитриев+, А. И. Торопов+, А. С. Кожухов+, Д. В. Щеглов+, А. В. Латышев+×, А. Л. Асеев+
+Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия *Новосибирский государственный технический университет, 630092 Новосибирск, Россия ×Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
Abstract
Исследована система квантовых точек на основе твердых растворов AlxIn1-xAs/AlyGa1-yAs. Использование широкозонных твердых растворов AlxIn1-xAs в качестве основы квантовых точек позволяет существенно расширить спектральный диапазон излучения в коротковолновую область, включая участок длин волн вблизи 770 нм, представляющий интерес для разработки аэрокосмических систем квантовой криптографии. Методом криогенной микрофотолюминесценции изучены оптические характеристики одиночных AlxIn1-xAs квантовых точек, выращенных по механизму Странского-Крастанова. На участке длин волн вблизи 770 нм исследована тонкая структура экситонных состояний квантовых точек. Показано, что величина расщепления экситонных состояний сравнима с естественной шириной экситонных линий, что представляет большой интерес для разработки излучателей пар запутанных фотонов на основе AlxIn1-xAs квантовых точек. |