Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 113-120
   Volumes 93-112
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 105 (2017) | ISSUE 3 | PAGE 142
Фотоиндуцированные решетки в сегнетоэлектрическом кристалле Sn2P2S6 с зависящим от интенсивности оптической накачки периодом
DOI: 10.7868/S0370274X17030031
Abstract
Обнаружено рассеяние света в форме кольцевых структур, возникающее в кристаллах Sn2P2S6 при распространении излучения мощной лазерной накачки вдоль кристаллографической оси b. Проходящее через кристалл излучение полностью рассеивается в конус, угол раствора которого растет с увеличением мощности накачки и обратимо уменьшается при ее снижении. Наблюдаемый эффект может быть объяснен спонтанным ростом амплитуды фотоиндуцированных объемных дифракционных решеток и рассеянием на них света в направлениях, в которых фазовые набеги фоторефрактивной и дифракционной природы взаимно компенсируют друг друга. Сходный тип рассеяния наблюдался ранее в других фоторефрактивных кристаллах, однако возникновение решеток с периодом, легко варьируемым изменением мощности накачки, демонстрируется впервые.