Нагрев и испарение двумерной электронно-дырочной жидкости под действием тепловых импульсов
Д. Ф. Аминев+, А. Ю. Клоков+, В. С. Кривобок+, С. Н. Николаев+, А. В. Новиков*, А. И. Шарков+, Н. Н. Сибельдин+
+Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, 119991 Москва, Россия
*Институт физики микроструктур РАН, 603950 Нижний Новгород, Россия
Abstract
Исследовано динамическое поведение спектров низкотемпературной
(T=5 К)
фотолюминесценции гетероструктур Si/Si1-xGex/Si
(x=0.045) при распространении
неравновесных фононов (тепловых импульсов) в структуре. Обнаружено быстрое
испарение электронно-дырочной жидкости (ЭДЖ) в квантовой яме (КЯ) структуры
при нагреве жидкости фононами теплового импульса. Установлено, что возрастание
плотности экситонного газа в КЯ связано с испарением ЭДЖ и увеличением скорости
захвата экситонов в КЯ. Показано, что взаимодействие с фононами теплового
импульса приводит к диссоциации экситонно-примесных комплексов в кремниевых
слоях, сопровождающейся увеличением концентрации и времени жизни
экситонов.