Home
| VOLUME 105 (2017) | ISSUE 4 | PAGE 230 |
|---|
|
Электронные и транспортные свойства гетерофазных соединений на основе MoS2 1)
Д. Г. Квашнин+* 2), Л. А. Чернозатонский+
+Институт биохимической физики им. Н.М. Эмануэля РАН, 119334 Москва, Россия *Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", 119049 Москва, Россия
Abstract
В данной работе проведено детальное исследование новых гетерофазных сверхрешеток на основе MoS2 с помощью теории функционала электронной плотности. Показано, что внедрение 1Т-фазы в монослой 2H-MoS2 приводит к формированию электронных уровней вблизи энергии Ферми и формированию квантовых ям в поперечном направлении сверхрешеток. Предложенные гетерофазные латеральные структуры дихалькогенидов переходных металлов имеют большие перспективы для конструирования новых элементов аноэлектроники. |