Моделирование многократного рассеяния в среде с анизотропной индикатрисой
В. Л. Кузьмин, А. Ю. Вальков
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, 195251 С.-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский государственный университет, 199034 С.-Петербург, Россия
Abstract
Для систем с анизотропией рассеяния, описываемой фазовыми
функциями Хеньи-Гринштейна и Рэлея-Ганса,
выполнено численное моделирование и проведен сравнительный анализ
многократного обратно-рассеянного излучения от слоев различной толщины,
включая геометрию полупространства. Показано, что интенсивность обратного
рассеяния зависит от вида фазовый функции; с ростом анизотропии растет
различие между численными значениями интенсивности, получаемыми в двух
моделях.