Расщепление частот оптических фононов в растянутых слоях германия
В. А. Володин+*, В. А. Тимофеев+, А. Р. Туктамышев+*, А. И. Никифоров+
+Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
*Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
Abstract
Растянутые пленки германия в многослойных гетероструктурах
Ge/GeSn/Si/GeSnSi, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией на
подложках Si(001), исследованы с применением спектроскопии комбинационного
рассеяния света. Двуосные деформации растяжения в пленках достигали
1.5
системы. Экспериментально обнаружено расщепление частот длинноволновых
оптических фононов, т.е. вызванный двуосными растяжениями сдвиг частоты синглета,
как и предсказывают расчеты, больше сдвига частоты дублета.
Обнаружен также индуцированный деформациями сдвиг пиков комбинационного
рассеяния света от двухфононного рассеяния в германии.