Исследование фазовой диаграммы магнитопроводимости двумерных электронных систем
Кравченко С.В., Медведев Б.К., Мокеров В.Г., Пудалов В.М., Ринберг Д.А., Семенчинский С.Г.
В интервале температур 0,3 10 К и в магнитном поле до 12 Τ изучены фазовые диаграммы о σ для ге те ро структур GaAs и Si -МДГЬструктуры, Установлено, что зав исимости о (σ ) в пределе исчезающе малых токов и Г-»0 существенно различаются хх %У для разных подуровней энергии.