Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 113-120
   Volumes 93-112
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 105 (2017) | ISSUE 7 | PAGE 419
Селективное усиление фототока дырок поверхностными плазмон-поляритонами в слоях квантовых точек Ge/Si
DOI: 10.7868/S0370274X17070025
Abstract
Обнаружено, что интеграция гетероструктур Ge/Si, содержащих слои квантовых точек Ge, с двумерными регулярными решетками субволновых отверстий в золотой пленке на поверхности полупроводника приводит к многократному (до 20 раз) усилению фототока дырок в узких областях длин волн фотонов среднего инфракрасного диапазона. Результаты объяснены возбуждением световой волной поверхностных плазмон-поляритонов на границе раздела металл-полупроводник, эффективно взаимодействущих с внутризонными переходами дырок в квантовых точках.