Различные СТМ-изображения сверхструктуры чистой грани Si(133)-6×2
C. А. Тийс
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН, 630090 Новосибирск, Россия
Abstract
Методом сканирующей туннельной микроскопии получены новые
детальные изображения
сверхструктуры атомарно-чистой поверхности Si(113)-6×2.
Проанализированы сходства и отличия
ранее опубликованных изображений. Предложена новая атомная модель
элементарной ячейки
сверхструктуры поверхности Si(133)-6×2 на основе подробностей
новых изображений и
противоречий ранее предложенных моделей.