Эмиссия электронов из Cs/GaAs и GaAs(Cs,О) с положительным и отрицательным электронным сродством
А. Г. Журавлев, В. С. Хорошилов, В. Л. Альперович
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
Abstract
Методом спектроскопии квантового выхода фотоэмиссии изучена
эволюция вероятностей выхода горячих и термализованных электронов из
GaAs(001) с адсорбированными слоями цезия и кислорода при переходе от
положительного к отрицательному эффективному электронному сродству. Обнаружен
и объяснен минимум вероятности выхода термализованных электронов вблизи
нулевого сродства.