Анизотропное влияние зарождающейся сверхпроводимости на электронный транспорт в FeSe
П. Д. Григорьевa,b,c , А. А. Синченкоd,e, К. К. Кешарпуc, А. Шакинc, Т. И. Могилюкf, А. П. Орловd, А. В. Фроловd,g, Д. С. Любшинa,g, Д. А. Чареевh,i, О. С. Волковаc,i,k, А. Н. Васильевc,j,k
aИнститут теоретической физики им. Л.Д. Ландау РАН, 142432 Черноголовка, Россия
bФизический институт им. П.Н. Лебедева РАН, 119991 Москва, Россия
cНациональный исследовательский технологический университет (МИСиС), 119049 Москва, Россия
dИнститут радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, 125009 Москва, Россия
eНациональный исследовательский ядерный университет (МИФИ), 115409 Москва, Россия
fНациональный исследовательский центр "Курчатовский институт", 123182 Москва, Россия
gМосковский физико-технический институт (государственный университет), 141700 Долгопрудный, Россия
hИнститут экспериментальной минералогии РАН, 142432 Черноголовка, Россия
iУральский Федеральный Университет, 620002 Екатеринбург, Россия
jНациональный исследовательский университет "Высшая школа экономики", 101000 Москва, Россия
kМосковский государственный университет им. М.В. Ломоносова, 119991 Москва, Россия
Abstract
Предложена теоретическая модель для описания
проводимости слоистого анизотропного нормального металла,
содержащего малые сверхпроводящие включения при произвольном
эксцентриситете сфероидных сверхпроводящих островков. Проведены
измерения электронных транспортных и магнитных свойств
монокристаллов FeSe, результаты которых указывают на существование
сверхпроводимости при температурах, значительно превышающих критическую
температуру сверхпроводящего перехода, соответствующую обращению в ноль
электросопротивления. В рамках предложенной модели удалось получить
количественное согласие объемной доли сверхпроводящих включений и
ее температурной зависимости, определенной по результатам
выполненных транспортных и магнитных измерений.