Неоднородные электронные состояния в системах с неидеальным нестингом
А. Л. Рахмановa,b,c, К. И. Кугельa,e, М. Ю. Каганd,e, А. В. Рожковa,b, А. О. Сбойчаковa
aИнститут теоретической и прикладной электродинамики РАН, 125412 Москва, Россия
bМосковский физико-технический институт (государственный университет), 141700 Долгопрудный, Россия
cВсероссийский научно-исследовательский институт автоматики им. Н.Л. Духова, 127055 Москва, Россия
dИнститут физических проблем им. П.Л. Капицы РАН, 119334 Москва, Россия
eНациональный исследовательский университет "Высшая школа экономики", 101000 Москва, Россия
Abstract
Дан краткий обзор результатов теоретического исследования
электронного фазового расслоения в системах с неидеальным нестингом листов
поверхности Ферми. Такие системы включают в себя хром и его сплавы,
сверхпроводящие желесодержащие пниктиды, двухслойный графен и ряд других
материалов.