Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 113-120
   Volumes 93-112
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 106 (2017) | ISSUE 2 | PAGE 84
Эффекты магнитной памяти в сегнетоэлектрических кристаллах триглицинсульфата
DOI: 10.7868/S0370274X17140065
Abstract
Впервые наблюдалось воздействие магнитного поля на процессы релаксации дефектной структуры в сегнетоэлектрическом (немагнитном) кристалле триглицинсульфата (TGS). С помощью метода атомно-силовой микроскопии показано, что результатом воздействия постоянного слабого магнитного поля (2 Тл, 20 мин) является существенное изменение распределения по размерам дефектных нанокластеров, характерных для TGS. Известные из литературы и наблюдаемые в данной работе макроскопические эффекты последействия магнитного поля в TGS (медленная релаксация диэлектрической восприимчивости, симметризация петель диэлектрического P-E гистерезиса, и т.д.) могут быть объяснены перераспределением центров пиннинга доменных стенок в результате магнитостимулированной реконфигурации дефектной структуры.