Home
| VOLUME 106 (2017) | ISSUE 3 | PAGE 156 |
|---|
|
Терагерцовая фотопроводимость в Hg1-xCdxTe вблизи перехода от прямого к инверсному спектру
А. В. Галееваa, А. И. Артамкинa, Н. Н. Михайловb, С. А. Дворецкийb, С. Н. Даниловc, Л. И. Рябоваd, Д. Р. Хохловa,e
aФизический факультет МГУ им. М.В. Ломоносова, 119991 Москва, Россия bИнститут физики полупроводников СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия cUniversity of Regensburg, D-93053 Regensburg, Germany dХимический факультет МГУ им. М.В. Ломоносова, 119991 Москва, Россия eФизический институт им. П.Н. Лебедева РАН, 119991 Москва, Россия
Abstract
Показано, что в структурах с активным элементом на основе Hg1-xCdxTe переход от прямого к инверсному спектру сопровождается изменением знака сигналов терагерцовой фотопроводимости и магнетофотогальванического эффекта. В области составов, соответствующих инверсному спектру, кинетика фотопроводимости обнаруживает особенности, которые могут быть связаны с поверхностными топологическими состояниями. |