Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 113-120
   Volumes 93-112
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 106 (2017) | ISSUE 4 | PAGE 201
Особенности роста поверхностных структур, вызванных адсорбцией Ge на поверхности Au(111)
Abstract
Представлены результаты исследования начальной стадии адсорбции Ge на поверхности Au(111) с анализом особенностей роста и стабильности формируемых на поверхности структур методами сверхвысоковакуумной низкотемпературной сканирующей туннельной микроскопии и теории функционала плотности. Установлено, что адсорбция единичных атомов Ge на поверхности Au(111) при комнатной температуре приводит к замещению атомов Au атомами Ge в первом поверхностном слое, что при дальнейшем увеличении степени покрытия до 0.2 - 0.4 монослоев приводит к последовательному росту аморфоподобного бинарного слоя, состоящего из перемешанных атомов Au и Ge. Показано, что отжиг бинарного слоя до температуры T_{\text{s}}\simeq 500 K, равно как и адсорбция Ge на поверхности Au(111), находящейся при температуре T_{\text{s}}\simeq 500 K, при степенях покрытия вплоть до 1 монослоя приводят к одинаковому структурному переходу и образованию сплава Au-Ge как минимум в двух приповерхностных слоях. На основании экспериментальных и теоретических данных сделан вывод о невозможности формирования однослойного германена на поверхности Au(111) при степенях покрытия \le 1 монослоя и в диапазоне температур Ts=297 - 500 K.