Электронная структура и спектры поглощения нанокристаллов кремния с галогеновым покрытием (Br, Cl)
Н. В. Дербенева, А. А. Конаков, А. Е. Швецов, В. А. Бурдов
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия
Abstract
Выполнены первопринципные расчеты электронной структуры и
частотной зависимости мнимой части диэлектрической функции для
нанокристаллов кремния размерами 1-2 нм, поверхность которых полностью
пассивирована атомами галогенов - Cl или Br. Как следует из расчетов,
пассивация галогенами приводит к сильной локализации валентных электронов
в приповерхностной области и, в результате, к заметному сужению ширины
запрещенной зоны нанокристалла и уменьшению его поглощающей способности
по сравнению со случаем водородной пассивации. Более сильно эти эффекты
выражены в нанокристаллах, покрытых бромом.