Эффект Холла в прыжковой проводимости по ансамблю квантовых точек
Н. П. Степина+, А. В. Ненашев+*, А. В. Двуреченский+*
+Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова, 630090 Новосибирск, Россия
*Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
Abstract
Изучен эффект Холла в структурах с двумерным массивом
туннельно-связанных квантовых точек Ge, выращенных на Si
с помощью молекулярно-лучевой
эпитаксии. Проводимость структур в нулевом магнитном поле при 4.2 К
изменялась в диапазоне 10-4-10-12 Ом-1, включающем как
диффузионный транспорт в режиме слабой локализации, так и режим прыжковой
проводимости. Показано, что эффект Холла регистрируется на фоне вклада
магнетосопротивления не только в высокопроводящих, но и в низкопроводящих
структурах. Коэффициент Холла в прыжковом режиме показывает немонотонную
зависимость от степени заполнения квантовых точек дырками, что коррелирует с
поведением радиуса локализации волновых функций дырок.