JETP Letters: issues online

В режиме тока, ограниченного пространственным зарядом, при T= 4.2 К исследовано магнетосопротивление (МС) пленок PbSnTe:In/(111)BaF₂ при различной взаимной ориентации магнитного поля B (напряженностью до 4 Тл) по отношению к электрическому полю E (напряженностью до ${\sim} 10^3$ В/см) и нормали к поверхности n. При ${ B}\parallel{n}$ уменьшение тока достигает ${\sim} 10^5$ раз, при ${ B}\parallel{E}$ ток увеличивается до ${\sim} 10^3$ раз. Исследованы угловые зависимости МС при "вращении" B в трех различных плоскостях. Для плоскости, соответствующей ориентации ${B}\perp{E}$ , на угловых зависимостях МС наблюдаются локальные максимумы вблизи ориентаций ${B}\perp{n}$ , при которых носители заряда отклоняются магнитным полем к одной из границ пленки. При отклонении к свободной поверхности полуширина максимумов составляет несколько градусов. При отклонении к границе с подложкой полуширина максимумов больше примерно на порядок, а их амплитуда меньше в 10-100 раз. Обсуждаются возможные механизмы гигантского положительного и отрицательного МС и влияние границ пленки на угловые зависимости магнетосопротивления.