Home
| VOLUME 106 (2017) | ISSUE 8 | PAGE 506 |
|---|
|
Квантовые поправки к проводимости и анизотропия магнетосопротивления тонких пленок Bi2Se3, легированных Eu
Л. Н. Овешников+*, В. А. Прудкогляд*, Ю. Г. Селиванов*, Е. Г. Чижевский*, Б. А. Аронзон +*
+Национальный исследовательский центр "Курчатовский Институт", 123182 Москва, Россия *Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, 119991 Москва, Россия
Abstract
В работе исследован магнетотранспорт в тонких пленках Bi2Se3 с магнитной примесью Eu в области слабых магнитных полей. При повышении уровня легирования наблюдается насыщение длины дефазировки при охлаждении, что может быть объяснено наличием магнитных включений. Наблюдаемая анизотропия магнетосопротивления качественно аналогична анизотропии, наблюдаемой в немагнитных пленках Bi2Se3. Множественные аналогии со свойствами пленок чистого Bi2Se3, с учетом некоторых отличий, могут быть объяснены в предположении локального взаимодействия топологически нетривиальных интерфейсных состояний с Eu-содержащими включениями. |