Home
| VOLUME 106 (2017) | ISSUE 9 | PAGE 555 |
|---|
|
Времена низкотемпературной внутрицентровой релаксации мелких доноров в Ge
Р. Х. Жукавинa1), К. А. Ковалевскийa, С. М. Сергеевa, Ю. Ю. Чопороваb,c, В. В. Герасимовb,c, В. В. Цыпленковa, Б. А. Князевb,c, Н. В. Абросимовd, С. Г. Павловf, В. Н. Шастинa, Г. Шнайдерg2), Н. Дессманнe 2), 3), О. А. Шевченкоb, Н. А. Винокуровb, Г. Н. Кулипановb, Г.-В. Хьюберсe,f2)
aИнститут физики микроструктур РАН, 603950 Нижний Новгород, Россия bИнститут ядерной физики им. Г.И. Будкера СО РАН, 6 30090 Новосибирск, Россия cНовосибирский национальный исследовательский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия dLeibniz Institute of Crystal Growth, 12489 Berlin, Germany eHumboldt-Universität zu Berlin, 12489 Berlin, Germany fDLR Institute of Optical Sensor Systems, 12489 Berlin, Germany gHelmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf, 01314 Dresden, Germany
Abstract
В условиях криогенных температур измерено время релаксации локализованных состояний доноров сурьмы в недеформированном и одноосно сжатом вдоль кристаллографического направления [111] германии. Измерения проводились по одноцветной схеме метода "накачка-зондирование" с использованием излучения новосибирского лазера на свободных электронах (NovoFEL). Для недеформированного кристалла время релаксации зависело от температуры и энергии кванта возбуждения. Измерения в деформированном кристалле выполнялись при давлении S>300 бар, при котором волновая функция основного состояния образована только одной долиной зоны проводимости германия. Показано, что приложение одноосной деформации приводит к увеличению времени релаксации, что связывается с понижением числа каналов релаксации. |