Влияние топологии наноразмерного острийного графен/SiC эмиттера на образование колец в сильных электрических полях
А. М. Светличный, И. Л. Житяев
Южный федеральный университет, Институт нанотехнологий, электроники и приборостроения, 347922 Таганрог, Россия
Abstract
Проведено моделирование распределения напряженности
электрического
поля, плотности тока и траекторий эмиттированных электронов с учетом топологии
наноразмерного острийного графен/SiC эмиттера. Анализ полученных моделей
показал усиление напряженности электрического поля и плотности тока на
концентрических наноразмерных выступах по периферии эмиттера. Показано, что
наноразмерные выступы являются источниками интенсивной эмиссии электронов,
наложение траекторий которых приводит к появлению нескольких колец на
эмиссионном изображении.