JETP Letters: issues online

Исследована деформация слоев твердого раствора SiGeSn толщиной d=1.5, 2.0 нм, полученных в Si с помощью молекулярно лучевой эпитаксии. Использован метод геометрической фазы при анализе изображений электронной микроскопии (ЭМ) сверхвысокого разрешения. Толщина слоев раствора сравнима с пространственным разрешением ( $\Delta\sim1$ нм) ЭМ, что приводит к значительному искажению профиля распределения деформации и погрешности в определяемой величине деформации. Из сравнения формы наблюдаемого и реального распределения деформации в исследованных слоях получены поправки к измеряемой величине, приближающие ее к реальному значению. Поправка определяется отношением Δ/d. Найденные значения деформации хорошо согласуются с величинами, рассчитанными для псевдоморфного состояния слоев в модели абсолютно жесткой подложки.