Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 113-120
   Volumes 93-112
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 106 (2017) | ISSUE 12 | PAGE 746
Деформация сверхтонких слоев SiGeSn в матрице кремния
Abstract
Исследована деформация слоев твердого раствора SiGeSn толщиной d=1.5, 2.0 нм, полученных в Si с помощью молекулярно лучевой эпитаксии. Использован метод геометрической фазы при анализе изображений электронной микроскопии (ЭМ) сверхвысокого разрешения. Толщина слоев раствора сравнима с пространственным разрешением (\Delta\sim1 нм) ЭМ, что приводит к значительному искажению профиля распределения деформации и погрешности в определяемой величине деформации. Из сравнения формы наблюдаемого и реального распределения деформации в исследованных слоях получены поправки к измеряемой величине, приближающие ее к реальному значению. Поправка определяется отношением Δ/d. Найденные значения деформации хорошо согласуются с величинами, рассчитанными для псевдоморфного состояния слоев в модели абсолютно жесткой подложки.