Home
| VOLUME 107 (2018) | ISSUE 1 | PAGE 68 |
|---|
|
Динамика доменов спонтанного электрического поля в двумерной электронной системе под микроволновым излучением и проводимость донорного слоя
С. И. Дорожкин+ 1), В. Уманский* 2), К. фон Клитцинг× 2), Ю. Х. Смет× 2)
+Институт физики твердого тела РАН, 142432 Черноголовка, Россия *Department of Physics, Weizmann Institute of Science, 76100 Rehovot, Israel ×Max-Planck-Institut für Festkörperforschung, Heisenbergstrasse 1, D-70569 Stuttgart, Germany
Abstract
На образцах, изготовленных из одной гетероструктуры GaAs/AlGaAs с двумерной электронной системой, выполнены измерения температурных зависимостей частоты переключений спонтанного электрического поля, возникающего под микроволновым излучением и образующего доменную структуру, и проводимости слоя легирования, поставляющего электроны в систему. Обнаружено, что обе величины описываются термоактивационной зависимостью (закон Аррениуса) с близкими значениями энергии активации. Полученный результат указывает на связь между этими величинами и подтверждает гипотезу о том, что наблюдаемая динамика доменной структуры является следствием динамического экранирования спонтанного электрического поля доменов зарядами слоя легирования. |