Home
| VOLUME 107 (2018) | ISSUE 3 | PAGE 180 |
|---|
|
Изменение знака магнетосопротивления и двумерная проводимость слоистого квазиодномерного полупроводника TiS3
И. Г. Горлова+, В. Я. Покровский+, С. Ю. Гаврилкин*, А. Ю. Цветков*
+Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, 125009 Москва, Россия *Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, 119991 Москва, Россия
Abstract
Измерены зависимости сопротивления слоистого квазиодномерного полупроводника TiS3 от направления и величины магнитного поля B. Анизотропия магнетосопротивления и его угловые зависимости свидетельствуют о двумерном характере проводимости при T<100 К. Ниже  К резко
возрастает магнетосопротивление при направлениях поля в плоскости слоев (ab),
а поперечное магнетосопротивление (B|c) становится отрицательным. Результаты
подтверждают возможность электронного фазового перехода в коллективное состояние
при T0. При этом отрицательное магнетосопротивление (B|c) ниже T0
объясняется подавлением магнитным полем 2D слабой локализации, а положительное
(B|ab) - влиянием магнитного поля на спектр электронных состояний.
|