Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 113-120
   Volumes 93-112
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 107 (2018) | ISSUE 4 | PAGE 248
Квантовая яма на поверхности n-GaAs, облученной ионами аргона
DOI: 10.7868/S0370274X18040082
Abstract
Методом фотоэлектронной спектроскопии исследована плотность состояний валентной зоны слоя p-GaAs , образованного на поверхности n-GaAs бомбардировкой ионами Ar+ с энергией Ei=2500 эВ. В спектре края валентной зоны в области энергий связи EV< 1.2 эВ обнаружен ряд пиков. Их количество и энергетическое положение соответствуют уровням размерного квантования, рассчитанным для дырочной квантовой ямы на поверхности шириной порядка глубины проникновения ионов Rp=3.6 нм. Электронные переходы из этих уровней в дно зоны проводимости обнаружены в спектре характеристических потерь энергии электронов, отраженных поверхностью. Таким образом, показано, что воздействие пучка ионов аргона на n-GaAs приводит к образованию квантовой ямы на поверхности.