Home
| VOLUME 107 (2018) | ISSUE 6 | PAGE 371 |
|---|
|
Видимое излучение плотного биэкситонного газа в SiGe/Si квантовых ямах в условиях внешней анизотропной деформации1)
С. Н. Николаев+ 2), В. С. Кривобок+, В. С. Багаев+, Е. Е. Онищенко+, А. В. Новиков*×, М. В. Шалеев*
+Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, 119991 Москва, Россия *Институт физики микроструктур РАН, 603950 Нижний Новгород, Россия ×Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия
Abstract
В данной статье впервые проведено исследование влияния внешней анизотропной деформации на спектры ИК- и видимой люминесценции гетероструктур с квантовыми ямами SiGe/Si при гелиевых температурах. Показано, что при температуре T = 5 К растяжение слоя SiGe вдоль направления [100] приводит к усилению относительной интенсивности излучения в видимой области спектра в  раза.
Этот эффект отсутствует при растяжении вдоль направления [110].
Дано объяснение данного явления на основе представлений о "светлых" и
"темных" состояниях биэкситонов при многочастичной рекомбинации.
При температуре 2 К относительная интенсивность видимой люминесценции
при
растяжении увеличивается в 3.4-3.9 раза, что может указывать либо на
расщепление основного состояния биэкситонов с различной электронной
конфигурацией, либо на отклонение их функции распределения от закона
Больцмана.
|