Спиновая поляризация Mn5Ge3 в объеме и тонких пленках
Н. А. Скориков+, В. И. Анисимов+*
+Институт физики металлов УрО РАН, 620108 Екатеринбург, Россия
*Уральский Федеральный Университет, 620002 Екатеринбург, Россия
Abstract
Интерметаллид Mn5Ge3 является одним из перспективных материалов для
использования в спинтронике в качестве источника носителей заряда. В
представленных в литературе экспериментальных данных о спиновой поляризации
Mn5Ge3 имеются значительные расхождения, все
теоретические исследования посвящены изучению 3-х мерного
кристалла Mn5Ge3, в то время как для практического использования
интерес представляю тонкие пленки. В работе представлены результаты
первопринципных расчетов для тонкой пленки Mn5Ge3 на подложке из
германия. Показано как меняются магнитные моменты атомов марганца, плотность
состояний и спиновая поляризация при переходе от 3-х мерного кристалла к
тонкой пленке.