Home
| VOLUME 107 (2018) | ISSUE 10 | PAGE 643 |
|---|
|
Структурно-зависимое магнетосопротивление в гибридном нанокомпозите Zn0.1Cd0.9GeAs2 + MnAs
Р. К. Арсланов+ 1), Т. Р. Арсланов+ 1), И. В. Федорченко*, Л. Киланский× 2), Т. Чаттерджи° 2)
+Институт физики им. Х. И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, 367003 Махачкала, Россия *Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова РАН, 119991 Москва, Россия ×Institute of Physics, Polish Academy of Sciences, PL-02668 Warsaw, Poland °Institute Laue-Langevin, 38042 Grenoble Cedex 9, France
Abstract
В гибридном нанокомпозите на основе матрицы Zn0.1Cd0.9GeAs2 и MnAs кластеров исследовано влияние высокого давления на электронный транспорт и полевую зависимость поперечного магнетосопротивления. Вблизи индуцированного давлением структурного превращения (  ГПа) формируется рекордно большая величина отрицательного магнетосопротивления
 74
Рассматриваемые механизмы рассеяния учитывают, как вклад, происходящий от MnAs кластеров
при сравнительно низких давлениях (до 0.7 ГПа), так и спин-зависимое рассеяние на
локализованных магнитных моментах, в замещенной Mn структуре матрицы в области
структурного перехода. Наличие положительного участка магнетосопротивления, связанного с двухзонной моделью
транспорта в фазе высокого давления, а также большое отрицательное магнетосопротивление описываются в рамках
полуэмпирического выражения Хосла-Фишера.
|