Кулоновское увлечение дипольных экситонов в гибридной экситон-электронной системе
М. В. Боев+, В. М. Ковалев+*
+Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН, 630090 Новосибирск, Россия
*Новосибирский государственный технический университет, 630073 Новосибирск, Россия
Abstract
Теоретически изучен эффект кулоновского увлечения газа дипольных
экситонов в пространственно разделенных двумерных квантовых ямах, содержащих
электронный и экситонный газы. Эффект кулоновского увлечения экситонов может
быть использован для управления транспортом экситонов в транзисторных
структурах, активным элементом которых является двумерный газ дипольных
экситонов. Получены выражения для кросс-проводимости экситонов в двух
предельных режимах транспорта - диффузионном и баллистическом как функции
температуры. Для каждого режима транспорта анализируются предельные случаи по
параметру отношения длины экранирования кулоновского взаимодействия к
расстоянию между газами. Показано, что при температурах, значительно
превосходящих температуру вырождения экситонного газа, кросс-проводимость не
зависит от температуры, а в обратном пределе обращается в нуль
экспоненциальным образом.