Home
| VOLUME 107 (2018) | ISSUE 10 | PAGE 679 |
|---|
|
Перестройка структуры кристаллов парателлурита в приповерхностном слое, вызванная миграцией носителей зарядов во внешнем электрическом поле
А. Г. Куликов+*, А. Е. Благов+*, Н. В. Марченков+*, В. А. Ломонов+, А. В. Виноградов+, Ю. В. Писаревский+*, М. В. Ковальчук+*
+Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова, Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" РАН, 119333 Москва, Россия *Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", 123098 Москва, Россия
Abstract
С помощью in situ/ рентгенодифракционных измерений исследован процесс образования приповерхностных структур в кристалле парателлурита (α-ТеО2) при приложении к нему внешнего электрического поля. Данный процесс имеет обратимый характер и по динамике протекания (длительность процесса составляет десятки минут) соответствует образованию экранирующего слоя у границы раздела диэлектрик-металл за счет встречной миграции ионов кислорода и кислородных вакансий во внешнем электрическом поле. Образование доменов наблюдается в эксперименте в виде уширения и расщепления рентгеновской кривой дифракционного отражения и объясняется механическими напряжениями, возникающими в сильном электрическом поле вблизи поверхности в результате пьезоэффекта и вызывающими ферроэластический α-β фазовый переход. Одновременно зарегистрировано изменение параметра решетки у анода (поверхность кристалла с положительным внешним зарядом), вызванное локальной перестройкой кристаллической структуры за счет скопления в этой области ионов кислорода и оттока кислородных вакансий. |