Эффект резонансного фотонного увлечения дипольных экситонов
М. В. Боев+*, В. М. Ковалев+*, И. Г. Савенко+×
+Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН, 630090 Новосибирск, Россия
*Новосибирский Государственный Университет, 630090 Новосибирск, Россия
×Center for Theoretical Physics of Complex Systems, Institute for Basic Science, 34126 Daejeon, Republic of Korea
Abstract
Представлена теория эффекта фотонного увлечения дипольных
экситонов в наноструктурах с двойными квантовыми ямами. Показано, что
плотность потока увлечения экситонов имеет резонансное поведение в случае,
если частота фотона близка к энергии перехода между уровнями дискретного
спектра экситона. При облучении структуры поляризованным светом резонансное
усиление тока увлечения происходит при совпадении энергии фотона с энергией
возбужденного энергетического уровня внутреннего движения экситона, причем
проекции углового момента внутреннего движения начального и конечного
состояний должны отличаться на единицу. Предложенный эффект может быть
использован для управления транспортом экситонов в наноструктурах на основе
двумерного экситонного газа.