Home
| VOLUME 107 (2018) | ISSUE 12 | PAGE 819 |
|---|
|
Дробный квантовый эффект Холла в квантовых ямах SiGe/Si/SiGe в слабых квантующих магнитных полях
В. Т. Долгополов+ 1), М. Ю. Мельников+, А. А. Шашкин+, С. Х. Хванг*× 2), Ц. В. Лиу*× 2, С. В. Кравченко°
+Институт физики твердого тела РАН, 142432 Черноголовка, Россия *Department of Electrical Engineering and Graduate Institute of Electronics Engineering, National Taiwan University, 106 Taipei, Taiwan ×National Nano Device Laboratories, 300 Hsinchu, Taiwan °Physics Department, Northeastern University, Boston, 02115 Massachusetts, USA
Abstract
Экспериментально исследован дробный квантовый эффект Холла в электронной системе квантовых ям SiGe/Si/SiGe в относительно слабых квантующих магнитных полях. Исследованная электронная система интересна тем, что в ней кулоновское взаимодействие между электронами в разы превышает циклотронную энергию исходных частиц. Обнаружены серии минимумов продольного магнитосопротивления, описываемые на языке композитных фермионов с квантовыми номерами p=1;2;3;4. Минимумы с p=3 исчезают в магнитном поле ниже 7 T, что может быть связано с пересечением (или даже слиянием) квантовых уровней композитных фермионов. Предположение о пересечении уровней с разной ориентацией спина требует наличия аномально малого g фактора у композитных фермионов. Более вероятно, что пересекаются уровни с разной ориентацией псевдоспина, то есть уровни композитных фермионов из различных долин. Мы также наблюдали минимумы продольного магнитосопротивления при факторах заполнения ν = 4/5 и 4/11, что может быть обусловлено образованием композитных фермионов второго поколения. |