Исследование заполнения второй подзоны размерного квантования двумерного дырочного газа на поверхности Si (110)
Дорожкин С.И., Ольшанецкий Е.Б.
Методом емкостной спектроскопии осуществлено прямое наблюдение изменения плотности состояний газа даумернйх носителей при заполнении очередной подзоны размерного квантования. На основании осцилляций Шубников а-де Гааза сделана оценка *-фактора носителей и обнаружен эффект "пиннинга" дна подзоны около уровня Ферми.