Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 113-120
   Volumes 93-112
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 108 (2018) | ISSUE 2 | PAGE 114
Электронная структура аморфного SiOx переменного состава
DOI: 10.1134/S0370274X18140096
Abstract
В приближении сильной связи, без использования подгоночных параметров рассчитаны величины барьеров для инжекции электронов и дырок из кремния в SiOx. Найдена зависимость электронной структуры обогащенного кремнием аморфного оксида кремния SiOx от степени обогащения. В расчетах использован способ параметризации матричных элементов Гамильтониана сильной связи, предложенный ранее авторами, учитывающий изменение области локализации валентных электронов изолированного атома при его встраивании в твердое тело. Показано, что учет этого изменения позволяет рассчитывать электронную структуру без подгоночных параметров, используя в качестве исходных данных параметры изолированных атомов. Последнее обстоятельство дает возможность вести расчет в абсолютной шкале энергий с нулем, соответствующим энергии электрона в вакууме.