Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 113-120
   Volumes 93-112
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 108 (2018) | ISSUE 3 | PAGE 180
Атомные перестройки и фотоэмиссионные процессы на интерфейсе р-GaN(Cs)-вакуум
DOI: 10.1134/S0370274X18150067
Abstract
Впервые изучены спонтанные изменения фотоэмиссионных свойств интерфейса р-GaN(Cs)-вакуум с эффективным отрицательным электронным сродством, вызванные перестройками его атомной структуры. Обнаружено оптимальное Сs-покрытие, обеспечивающее как максимальную вероятность выхода фотоэлектронов в вакуум, так и ее стабильность. Предложена термодинамическая модель, объясняющая связи фотоэмиссионных свойств интерфейса р-GaN(Cs)-вакуум с его свободной энергией и энтропией.