Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 113-119
   Volumes 93-112
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 108 (2018) | ISSUE 3 | PAGE 201
Однофотонный источник при 80 K на основе диэлектрической наноантенны с CdSe/ZnSe квантовой точкой
DOI: 10.1134/S0370274X18150109
Abstract
Исследованы излучательные характеристики источника одиночных фотонов, изготовленного на основе эпитаксиальной гетероструктуры с квантовыми точками CdSe/ZnSe и цилиндрического волновода с переменным сечением, сформированного в слое резиста методом электронной литографии. В условиях оптической накачки при 80 K показана возможность генерации потока одиночных фотонов на длине волны 530 нм со средней интенсивностью порядка 1 МГц и значением корреляционной функции второго порядка при нулевой задержке {g}^{(2)}(0)=0.15\pm0.03.