Home
| VOLUME 108 (2018) | ISSUE 7 | PAGE 498 |
|---|
|
Влияние микроволнового излучения на квантовые магнетоосцилляции емкости
С. И. Дорожкин+ 1), А. А. Капустин+, В. Уманский* 2), К. фон Клитцинг× 2), Ю. Х. Смет× 2)
+Институт физики твердого тела РАН, 142432 Черноголовка, Россия *Department of Physics, Weizmann Institute of Science, 76100 Rehovot, Israel ×Max-Planck-Institut für Festkörperforschung, Heisenbergstrasse 1, D-70569 Stuttgart, Germany
Abstract
Экспериментально обнаружена немонотонная зависимость от магнитного поля изменения амплитуды квантовых магнетоосцилляций емкости полевых транзисторов под микроволновым облучением, включающая в себя эффект усиления амплитуды осцилляций в результате облучения. Показано, что такое поведение обусловлено загибом зон около границы затвора. Эффект объяснен интерференцией квантовых осцилляций с индуцированными излучением магнетоосцилляциями длины экранирования статического электрического поля. |