Резонансно-туннельные явления в многослойных вандерваальсовских двумерных кристаллических системах
Е. Е. Вдовин, Ю. Н. Ханин
Институт проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов РАН, 142432 Черноголовка, Россия
Abstract
Представлен краткий обзор работ, в основном экспериментального характера,
освещающих наиболее интересные, на наш взгляд, аспекты применения метода
резонансно-туннельной спектроскопии к новому типу гетеросистем - вандерваальсовых
гетероструктур, появившихся в результате недавнего открытия двумерных кристаллов -
нового класса материалов, родоначальником которого является графен. Рассмотрена роль
углового согласования кристаллических решеток проводящих графеновых электродов
вандерваальсовых систем в процессах туннелирования носителей между ними, и тесно
связанные с этим вопросы выполнения законов сохранения при туннельных переходах.
Кратко обсуждены проявления многочастичных корреляционных взаимодействий
носителей в вандерваальсовских системах, таких как вигнеровская кристаллизация
электронов в двумерном электронном газе в магнитном поле и бозе-конденсация
экситонов в параллельных двумерных электронных газах.