Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 81-92
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 61-80
      Volume 80
      Volume 79
      Volume 78
      Volume 77
      Volume 76
      Volume 75
      Volume 74
      Volume 73
      Volume 72
      Volume 71
      Volume 70
      Volume 69
      Volume 68
      Volume 67
      Volume 66
      Volume 65
      Volume 64
      Volume 63
      Volume 62
      Volume 61
Search
VOLUME 77 (2003) | ISSUE 7 | PAGE 445
Бесфононная прыжковая проводимость в двумерных слоях квантовых точек
PACS: 73.20.Mf, 73.50.Pz
Abstract
Исследованы закономерности транспорта заряда, обусловленного прыжковой проводимостью дырок вдоль двумерных слоев квантовых точек Ge в Si. Показано, что температурная зависимость проводимости подчиняется закону Эфроса- Шкловского. Обнаружено немонотонное изменение эффективного радиуса локализации носителей заряда в квантовых точках при заселении точек дырками, связанное с последовательным заполнением электронных оболочек. Установлено, что при низких температурах (T<10 K) предэкспоненциальный множитель прыжковой проводимости перестает зависеть от температуры и осциллирует при варьировании степени заполнения квантовых точек дырками, принимая значения, кратные кванту кондактанса e2/h. Полученные результаты свидетельствуют о том, что при понижении температуры происходит переход от активированной фононами прыжковой проводимости к бесфононному переносу заряда, доминирующую роль в процессах которого играет кулоновское взаимодействие локализованных носителей заряда.