Многофононная ионизация глубоких центров в аморфном нитриде кремния: эксперимент и численное моделирование
К. А. Насыров, Ю. Н. Новиков+, В. А. Гриценко+, С. Ю. Юн* 2), Ч. В. Ким*
Институт автоматики и электрометрии Сибирского отделения РАН, 630090 Новосибирск, Россия
+Институт физики полупроводников Сибирского отделения РАН, 630090 Новосибирск, Россия
*Samsung Advanced Institute of Technology, Suwon 440-600, Korea
PACS: 77.22.Jp, 77,55.+f, 77.84.Bw
Abstract
В широком диапазоне электрических полей и температур
экспериментально исследована проводимость аморфного нитрида кремния.
Результаты эксперимента находятся в количественном согласии с теорией
многофононной ионизации глубоких центров для биполярной модели проводимости.
Наилучшее согласие между экспериментом и расчетом получено при одинаковых
параметрах электронных и дырочных глубоких центров.