Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 113-119
   Volumes 93-112
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 109 (2019) | ISSUE 2 | PAGE 105
Квазидырки в гетеропереходе MgZnO/ZnO как вакансионы
DOI: 10.1134/S0370274X19020073
Abstract
Рассмотрен процесс рекомбинации двумерных электронов низкой плотности в гетеропереходе MgZnO/ZnO с локализованными дырками валентной зоны. Квазидырки, возникающие при фотолюминесценции сильно взаимодействующих двумерных электронов, предложено рассматривать как квазичастицы в квантовом вигнеровском кристалле - вакансионы. Вакансионы, образующиеся при удалении электрона из кристалла, вследствие эффекта туннелирования не локализованы. Энергии вакансионов E(k) образуют зону шириной D, зависящую от вероятности туннелирования вакансии. Величина D соответствует ширине зоны фотолюминесценции двумерной электронной системы. Получена форма полосы фотолюминесценции вигнеровского кристалла в приближении сильной связи для закона дисперсии вакансионов E(k), проведено сравнение с экспериментальными результатами.