Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 113-119
   Volumes 93-112
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 109 (2019) | ISSUE 2 | PAGE 108
Оптические свойства квантовых точек со структурой "ядро-многослойная оболочка"
DOI: 10.1134/S0370274X19020085
Abstract
В последнее десятилетие коллоидные полупроводниковые нанокристаллы "квантовые точки", не только стали предметом интенсивных фундаментальных исследований, но и приобрели важное практическое значение в фотовольтаике, оптоэлектронике и биомедицинских приложениях. Поиски путей увеличения квантового выхода фотолюминесценции квантовых точек, начавшись с простых подходов к нанесению на ядра CdSe защитных оболочек, например ZnS, привели в настоящий момент к разработке новых типов квантовых точек, отличающихся не только рекордно высокими коэффициентами экстинкции, но и высокими квантовыми выходами фотолюминесценции. В настоящей работе проанализированы оптические свойства квантовых точек со структурой "ядро-многослойная оболочка", специально разработанной для достижения максимально возможной локализации возбужденных носителей заряда внутри люминесцентных ядер, что позволило достичь величин квантового выхода фотолюминесценции, близких к 100 Были изготовлены образцы квантовых точек со структурой "ядро-многослойная оболочка" с толщиной оболочки от 3 до 7 монослоев, изучены изменения характеристик оптических переходов в таких квантовых точках в процессе увеличения числа слоев оболочки, и проанализировано влияние толщины оболочки на оптические свойства полученных квантовых точек. В частности, анализ времен жизни фотолюминесценции таких квантовых точек выявил возможность существования альтернативного механизма излучения квантовых точек "ядро-многослойная оболочка", основанного на замедленном переносе носителя заряда из возбужденного внешнего слоя оболочки CdS в ядро CdSe.