Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
      Volume 116
      Volume 115
      Volume 114
      Volume 113
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 109 | ISSUE 2 | PAGE 112
Строение сегнетоэлектрических пленок Hf0.9La0.1O2, полученных методом атомно-слоевого осаждения
Abstract
В работе изучаются тонкие пленки оксида гафния, легированные La, синтезированные методом плазма-стимулированного атомно-слоевого осаждения с последующим быстрым отжигом. Установлено, что исследуемые пленки имеют орторомбическую нецентросимметричную структуру с пространственной группой Pmn21. Показано, что пленки обладают сегнетоэлектрическими свойствами. Определено отношение атомных концентраций элементов в пленке и показано, что пленка состоит из смеси фаз HfO2 и La2O3. Показано, что травление ионами аргона приводит к генерации кислородных вакансий в концентрации около 1 ат. преимущественно за счет выбивания атомов кислорода в междоузельные позиции, с образованием пары Френкеля.