Home
| VOLUME 109 (2019) | ISSUE 2 | PAGE 112 |
|---|
|
Строение сегнетоэлектрических пленок Hf0.9La0.1O2, полученных методом атомно-слоевого осаждения
Т. В. Перевалов+*, В. А. Гриценко+*×, А. К. Гутаковский+, И. П. Просвирин°
+Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН, 630090 Новосибирск, Россия *Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия ×Новосибирский государственный технический университет, 630073 Новосибирск, Россия °Институт катализа им. Г.К. Борескова Сибирского отделения РАН, 630090 Новосибирск, Россия
Abstract
В работе изучаются тонкие пленки оксида гафния, легированные La, синтезированные методом плазма-стимулированного атомно-слоевого осаждения с последующим быстрым отжигом. Установлено, что исследуемые пленки имеют орторомбическую нецентросимметричную структуру с пространственной группой Pmn21. Показано, что пленки обладают сегнетоэлектрическими свойствами. Определено отношение атомных концентраций элементов в пленке и показано, что пленка состоит из смеси фаз HfO2 и La2O3. Показано, что травление ионами аргона приводит к генерации кислородных вакансий в концентрации около 1 ат. преимущественно за счет выбивания атомов кислорода в междоузельные позиции, с образованием пары Френкеля. |