Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
      Volume 116
      Volume 115
      Volume 114
      Volume 113
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 109 | ISSUE 2 | PAGE 118
Гетероструктуры Cr-содержащая ферромагнитная пленка - топологический изолятор, как перспективные материалы для реализации квантового аномального эффекта Холла
Abstract
В настоящей работе мы представляем результаты теоретического исследования двух гетероструктур, состоящих из подложки топологического изолятора Bi2Se3 и тонкой пленки ферромагнитного изолятора CrI3 или CrBi2Se4. Рассчитанный электронный спектр свидетельствует о том, что в обеих гетероструктурах реализуется квантовый аномальный эффект Холла, с величиной расщепления топологического поверхностного состояния 19 и 92 мэВ для CrI3/Bi2Se3 и CrBi2Se4/Bi2Se3, соотвественно. Показано, что основное влияние на величину энергетической щели оказывает степень локализации волновой функции топологического состояния в ферромагнитной пленке, которая зависит от величины и ширины интерфейсного барьера на границе раздела подложки и ферромагнитного материала. В случае системы CrBi2Se4/Bi2Se3 как величина, так и ширина барьера подобны таковым характеристикам ван-дер-ваальсового барьера в объемном Bi2Se3.