JETP Letters: issues online

Исследованы вольтамперные характеристики структур Pt/DLC/Pt на базе тонких (20 нм) слоев алмазоподобного углерода, в которых соотношение между фазами углерода с sp² и sp³-гибридизацией контролировали условиями роста слоев методом высокочастотного диодного распыления. Обнаружены эффекты резистивного переключения из исходно высокоомного в низкоомное состояние при приложении к структуре напряжения $V\sim3$ В и обратное переключение при $V\sim0$ В. Эти эффекты имеют симметричный характер относительно изменения полярности V и объясняются сменой типа гибридизации локальных углеродных областей, обусловливающим переключение из высокоомного в низкоомное состояние в сильных ( ${\sim} 10^6$ В/см) полях за счет переходов sp³→sp² и обратное переключение в отсутствие поля. Отношение сопротивлений в высокоомном в низкоомном состоянии достигает ${\sim} 50$ .