Home
| VOLUME 109 (2019) | ISSUE 3 | PAGE 178 |
|---|
|
Температурная зависимость амплитуды минимумов поглощения микроволнового излучения на гармониках циклотронного резонанса
С. И. Дорожкин+ 1), А. А. Капустин+, В. Уманский* 2), Ю. Х. Смет× 2)
+Институт физики твердого тела РАН, 142432 Черноголовка, Россия *Department of Physics, Weizmann Institute of Science, 76100 Rehovot, Israel ×Max-Planck-Institut für Festkörperforschung, D-70569 Stuttgart, Germany
Abstract
В двумерной электронной системе, реализуемой в гетероструктуре GaAs/AlGaAs, исследована температурная зависимость минимумов микроволнового поглощения, наблюдаемых на гармониках циклотронного резонанса. Обнаружено сосуществование этого эффекта с температурозависящим гигантским отрицательным магнетосопротивлением. Рассмотрена возможность объяснения совокупности полученных результатов влиянием электрон-электронного рассеяния на немарковскую электронную кинетику. |