Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 113-120
   Volumes 93-112
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 109 (2019) | ISSUE 3 | PAGE 196
Особенности пиннинга волны зарядовой плотности в квазидвумерных соединениях
Abstract
Исследованы эффекты коллективного движения (скольжения) волны зарядовой плотности в квазидвумерном проводнике TbTe3 в широком интервале температур. Непосредственно после охлаждения до температур ниже температуры пайерлсовского перехода, TCDW=336 K, пороговое поле инициации скольжения волны зарядовой плотности, Et, демонстрирует зависимость от температуры, близкую к линейной. Экспозиция образцов при фиксированной температуре T0<TCDW в течение нескольких часов приводила к существенной модификации эффекта скольжения волны зарядовой плотности. Пороговое поле значительно возрастало, а зависимость Et(T) становилась немонотонной, демонстрируя сильный максимум при T=T0. Наблюдаемый эффект связывается с формированием при экспозиции упорядоченной структуры (решетки) дефектов волны зарядовой плотности и с изменением режима пиннинга при ее плавлении.