Home
| VOLUME 109 (2019) | ISSUE 3 | PAGE 196 |
|---|
|
Особенности пиннинга волны зарядовой плотности в квазидвумерных соединениях
А. В. Фролов+, А. П. Орлов+*, А. А. Синченко+× 1), П. Монсо° 2)
+Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, 125009 Москва, Россия *Институт нанотехнологий микроэлектроники РАН, 115487 Москва, Россия ×Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, 119991 Москва, Россия °Universté Grenoble Alpes, CNRS, Grenoble INP, Institut NEEL, 38042 Grenoble, France
Abstract
Исследованы эффекты коллективного движения (скольжения) волны зарядовой плотности в квазидвумерном проводнике TbTe3 в широком интервале температур. Непосредственно после охлаждения до температур ниже температуры пайерлсовского перехода, TCDW=336 K, пороговое поле инициации скольжения волны зарядовой плотности, Et, демонстрирует зависимость от температуры, близкую к линейной. Экспозиция образцов при фиксированной температуре T0<TCDW в течение нескольких часов приводила к существенной модификации эффекта скольжения волны зарядовой плотности. Пороговое поле значительно возрастало, а зависимость Et(T) становилась немонотонной, демонстрируя сильный максимум при T=T0. Наблюдаемый эффект связывается с формированием при экспозиции упорядоченной структуры (решетки) дефектов волны зарядовой плотности и с изменением режима пиннинга при ее плавлении. |