Home
| VOLUME 109 (2019) | ISSUE 5 | PAGE 325 |
|---|
|
Влияние полупроводниковой прослойки на эффект положительного обменного смещения в трехслойной структуре CoNi/Si/FeNi
Г. С. Патрин+*, И. А. Турпанов+, В. И. Юшков+*, А. В. Кобяков+*, К. Г. Патрин+, Г. Ю. Юркин+, Я. А. Живая+
+Сибирский федеральный университет, 660041 Красноярск, Россия *Институт физики им. Л. В. Киренского Федеральный исследовательский центр Красноярский научный центр Сибирского отделения РАН, 660036 Красноярск, Россия
Abstract
Представлены результаты экспериментальных исследований пленок в системе магнитожесткий ферромагнетик (CoNi) - магнитомягкий ферромагнетик (FeNi), взаимодействующих через немагнитную полупроводниковую прослойку кремния (Si). Проведены температурные и полевые исследования магнитных свойств пленочных структур с различными толщинами кремния. Обнаружено, что многослойная структура наряду со свойствами, присущими магнитным пружинам, проявляет эффект положительного обменного смещения, зависящим от толщины кремния. |