Home
| VOLUME 109 (2019) | ISSUE 6 | PAGE 371 |
|---|
|
Колебательные и светоизлучающие свойства гетероструктур Si/Si(1-x)Snx
В. А. Володин+* 1), В. А. Тимофеев+, А. И. Никифоров+, М. Штоффель× 2), Э. Риннерт× 2), М. Вернья× 2)
+Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН, 630090 Новосибирск, Россия *Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия ×Université de Lorraine, Institut Jean Lamour Unités Mixtes de Recherche Centre national de la recherche scientifique 7198, 54506 Vandoeuvre-lès-Nancy Cedex, France
Abstract
Многослойные гетероструктуры Si/Si(1-x)Snx, выращенные молекулярно-лучевой эпитаксией на подложках Si (001), исследованы с применением спектроскопии комбинационного рассеяния света и фотолюминесценции. В спектрах комбинационного рассеяния света обнаружены пики, соответствующие колебаниям связей Si-Sn, а также Sn-Sn, последнее позволяет предположить, что в гетероструктурах присутствуют нанокристаллы олова. При низких температурах в гетероструктурах наблюдались две полосы фотолюминесценции - 0.75 эВ (1650 нм) и 0.65 эВ (1900 нм), первую можно связать с оптическими переходами в квантовых ямах в гетероструктуре второго рода Si/Si(1-x)Snx, а вторую - с экситонами, локализованными в нанокристаллах олова. |