Экситонное поглощение с участием фононов в коллоидных нанопластинах CdSe/CdS
А. М. Смирнов+*, А. Д. Голинская+×, Б. М. Саиджонов°, Р. Б. Васильев°, В. Н. Манцевич+×, В. С. Днепровский+
+МГУ им. М. В. Ломоносова, Физический факультет, Кафедра физики полупроводников и криоэлектроники,
119991 Москва, Россия
*Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, 125009 Москва, Россия
×МГУ им. М. В. Ломоносова, Физический факультет, Центр квантовых технологий, 119991 Москва, Россия
°МГУ им. М. В. Ломоносова, Факультет наук о материалах, 119991 Москва, Россия
Abstract
Исследованы особенности нерезонансного поглощения нанопластин CdSe c
оболочкой CdS в случае возбуждения в край области экситонного поглощения мощными
наносекундными лазерными импульсами. Показано, что экситон-фононное взаимодействие
играет ключевую роль в процессах нерезонансного поглощения фотонов в коллоидных
нанопластинах. Обнаруженные особенности нелинейного изменения поглощения
объяснены эффектом частичного заполнения фазового пространства экситонов за счет
участия продольных оптических (LO)-фононов.